Lección
La teoría — El diodo y la regla de los 0,7 V
Un diodo es una unión que conduce con facilidad en un sentido y apenas en el contrario. En su intervalo de funcionamiento, la corriente depende exponencialmente de la tensión según la ecuación de Shockley: I = IS(eV/(nVT) − 1). Aquí, VT = kT/q es la tensión térmica, que vale 25,69 mV a 25 °C. En un circuito, la tensión del diodo no se conoce de antemano: la determina la intersección de su curva con la recta que describe las condiciones impuestas por el resto del circuito.
Qué significa cada símbolo
V_T- la tensión térmica kT/q, en voltios. Vale 25,69 mV a 25 °C y es proporcional a la temperatura absoluta
I_S- la corriente de saturación, en amperios. Es diminuta: aquí vale 10⁻¹⁴ A por defecto. Determina en qué zona del eje de tensión la corriente alcanza valores grandes. Aumenta con rapidez al subir la temperatura
n- el factor de idealidad, entre 1 y 2. Multiplica todos los incrementos de tensión: con n = 2 hacen falta el doble de milivoltios para multiplicar la corriente por diez
E_g- la anchura de la banda prohibida del silicio, 1,11 eV en este modelo. Determina la rapidez con que I_S aumenta con la temperatura y explica por qué la deriva depende de cuánto queda V por debajo de ese valor
- Supone
- Se usa únicamente la ecuación ideal de Shockley. Se omite la resistencia interna del diodo, que en un componente real reduce la pendiente de la curva a corrientes elevadas, y también la ruptura en inversa. Se supone un régimen permanente de corriente continua. La corriente de saturación y n son parámetros elegidos para el modelo, no datos de un componente concreto. El aumento de la corriente de saturación con la temperatura sigue el modelo de diodo de SPICE, con una banda prohibida de 1,11 eV y un exponente de 3; los valores de deriva de esta página corresponden, por tanto, a ese modelo.
Problema resuelto al detalle
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Medir la temperatura con dos corrientes 6 pasos
Por un diodo se hacen circular primero 10 µA y después 100 µA. Un voltímetro mide 0,477278 V y 0,541398 V, respectivamente. Del diodo solo sabes que n = 1. ¿A qué temperatura está?
Abre este problema en la herramienta
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Ninguna de las dos tensiones basta por sí sola. Ambas dependen de la corriente de saturación, que desconoces y que en este modelo es 36 veces mayor a 50 °C que a 25 °C.
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Resta las dos lecturas. Cada tensión es
nVT ln(I/IS), así que su diferencia esnVT ln(I2/I1). La corriente de saturación se cancela, siempre que ambas corrientes sean muy superiores a ella. -
La diferencia es 64,120 mV y el cociente de las corrientes es 10, de modo que VT = 64,120 mV ÷ ln 10 = 27,847 mV.
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Como VT = kT/q, la temperatura es T = qVT/k = 323,15 K, es decir, 50,0 °C.
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Compruébalo en la página: ajusta la temperatura a 50 °C. La fila de voltios por cada aumento de corriente de un factor diez indica 64,12 mV. En la última tabla, las filas de 10 µA y 100 µA dan 0,4773 y 0,5414.
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La diferencia solo aumenta 0,198 mV por kelvin, alrededor de una décima parte de lo que varía cada tensión por separado. Medir esa diferencia con una precisión de una décima de milivoltio permite determinar la temperatura con una precisión de medio kelvin. Por eso las lecturas se dan aquí hasta el microvoltio.
Respuesta
T = 323,15 K, o 50,0 °C, a partir de dos lecturas y del valor de n. La diferencia entre las dos tensiones de la unión es proporcional a la temperatura absoluta, sea cual sea la corriente de saturación, siempre que ambas corrientes sean muy superiores a ella. Así, un circuito integrado de silicio puede medir su propia temperatura con solo tener calibrado el cociente de dos corrientes.
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Ruta de aprendizaje